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中文参数如下:
工厂包装数量:1000
上升时间:2.3 ns
功率耗散:1.3 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:2.3 ns
包装形式:Reel
封装形式:SM-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Quad
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.12 Ohms, 0.12 Ohms
漏极连续电流:3.1 A, - 2.3 A
汲极/源极击穿电压:30 V, - 30 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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