ZXMHC10A07N8TC

厂家：: Diodes Inc. / Zetex
封装：: 8-SO
数量：: 23753
说明：: MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

一、本商品被浏览0次.

ZXMHC10A07N8TC PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：4.1 ns, 5.9 ns
上升时间：1.5 ns, 2.1 ns
功率耗散：1.36 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：2.9 nC, 3.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：1.6 S, 1.2 S
下降时间：2.1 ns, 3.3 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：H-Bridge
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.9 Ohms at 0.9 A, 6 V, 1.45 Ohms at - 0.7 A, - 6 V
漏极连续电流：1 A, - 0.85 A
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMHC10A07N8TC的详细信息，包括ZXMHC10A07N8TC厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：