STH180N10F3-2

厂家：: STMicroelectronics
封装：: H2Pak-2
数量：: 3825
说明：: MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET

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STH180N10F3-2 PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：97.1 ns
功率耗散：315 W
栅极电荷 Qg：114.6 nC
下降时间：6.9 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.5 mOhms
漏极连续电流：120 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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