STH180N10F3-6

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）
数量：: 7335
说明：: MOSFET N-ch 100V 3.9 Ohm 180A STripFET III

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STH180N10F3-6-TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）图片

STH180N10F3-6 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：315 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：H2PAK-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.5 mOhms
漏极连续电流：180 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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