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STH250N55F3-6

厂家：: STMicroelectronics
封装：: H2PAK
数量：: 4850
说明：: MOSFET N-ch 55V 2.2 mOhm 180A STripFET III

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STH250N55F3-6 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：110 ns
上升时间：150 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：100 nC
下降时间：50 ns
包装形式：Reel
封装形式：H2PAK-7
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.6 mOhms
漏极连续电流：180 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STH250N55F3-6的详细信息，包括STH250N55F3-6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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