IPP80N06S208AKSA2

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO220-3-1
数量:
 8505  
说明:
 MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
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IPP80N06S208AKSA2 PDF参数资料

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中文参数如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):215W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2860 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):96 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 58A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A(Tc)
漏源电压(Vdss):55 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:最后售卖
包装:OptiMOS?
系列:管件
品牌:Infineon Technologies

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