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RQ3L090GNTB

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 8-HSMT（3.2x3）
数量：: 8982
说明：: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT

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中文参数如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1260 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：24.5 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 300μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：13.9mOhm @ 9A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta），30A（Tc）
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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