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中文参数如下：
上升时间：180 ns
功率耗散：300 W
栅极电荷 Qg：110 nC
下降时间：45 ns
包装形式：Reel
封装形式：H2PAK
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.4 mOhms
漏极连续电流：180 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics
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