SIHG30N60E-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-247-3
数量：: 5462
说明：: MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

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SIHG30N60E-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：63 ns
上升时间：32 ns
功率耗散：250 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：130 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：5.4 S
下降时间：36 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-247AC-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：125 mOhms at 10 V
漏极连续电流：29 A
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG30N60E-GE3的详细信息，包括SIHG30N60E-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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