SIHG25N40D-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-247-3
数量：: 5135
说明：: MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS

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SIHG25N40D-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：57 ns
功率耗散：278 W
栅极电荷 Qg：44 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：7.4 S
下降时间：37 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-247 AC
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：170 mOhms at 10 V
漏极连续电流：25 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：400 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG25N40D-GE3的详细信息，包括SIHG25N40D-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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