SIA915DJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6 双
数量：: 3348
说明：: MOSFET 30V 4.5A 6.5W 87mOhms @ 10V

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SIA915DJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIA915DJ-GE3
功率耗散：6.5 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SC-70
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.087 Ohms at - 10 V
漏极连续电流：- 4.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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