SIA920DJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6 双
数量：: 3375
说明：: MOSFET 8V 4.5A 7.8W 27mOhms @ 4.5V

一、本商品被浏览0次.

SIA920DJ-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SIA920DJ-GE3
功率耗散：7.8 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SC-70
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.022 Ohms at 4.5 V
漏极连续电流：4.5 A
闸/源击穿电压：+/- 5 V
汲极/源极击穿电压：8 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA920DJ-T1-GE3的详细信息，包括SIA920DJ-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：