SIA950DJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6 双
数量：: 1764
说明：: MOSFET 190V 0.95A 7.0W 3.8ohm @ 4.5V

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中文参数如下：

零件号别名：SIA950DJ-GE3
典型关闭延迟时间：25 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：15 ns
功率耗散：1900 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：15 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC-70-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3800 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：0.47 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：190 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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