SIA950DJ-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SC-70-6 双
数量:
 1764  
说明:
 MOSFET 190V 0.95A 7.0W 3.8ohm @ 4.5V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SIA950DJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 双图片

SIA950DJ-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:SIA950DJ-GE3
典型关闭延迟时间:25 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:15 ns
功率耗散:1900 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:15 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SC-70-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):3800 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流:0.47 A
闸/源击穿电压:+/- 16 V
汲极/源极击穿电压:190 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIA950DJ-T1-GE3的详细信息,包括SIA950DJ-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • 暂无电子元件图

    SIAERO+-EVB

    开发板和工具包 - 无线 AERO+ TRIPLE-BAND

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC