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SIA975DJ-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK? SC-70-6 双
数量：
 1773  
说明：
 MOSFET -12V 41mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III
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SIA975DJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 双图片

SIA975DJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIA975DJ-GE3
功率耗散：7.8 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：17 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：12 S
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC-70-6 Dual
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：41 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 4.5 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：- 12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIA975DJ-T1-GE3的详细信息，包括SIA975DJ-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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