SIA921EDJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6 双
数量：: 14198
说明：: MOSFET -20V 59mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III

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中文参数如下：

零件号别名：SIA921EDJ-GE3
典型关闭延迟时间：25 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：12 ns
功率耗散：7.8 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：11 S
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC-70-6 Dual
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：59 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 4.5 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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