SIA921EDJ-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SC-70-6 双
数量:
 14198  
说明:
 MOSFET -20V 59mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III
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SIA921EDJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SIA921EDJ-GE3
典型关闭延迟时间:25 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:12 ns
功率耗散:7.8 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :11 S
下降时间:10 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SC-70-6 Dual
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):59 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流:- 4.5 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIA921EDJ-T1-GE3的详细信息,包括SIA921EDJ-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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