SIA929DJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6 双
数量：: 3402
说明：: MOSFET -30V 64mOhm@10V 4.5A P-Ch G-III

一、本商品被浏览0次.

SIA929DJ-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SIA929DJ-GE3
典型关闭延迟时间：22 ns
上升时间：10 ns
功率耗散：7.8 W
栅极电荷 Qg：14 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC-70-6 Dual
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：64 mOhms at 10 V
漏极连续电流：4.5 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA929DJ-T1-GE3的详细信息，包括SIA929DJ-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：