SIA511DJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6 双
数量：: 1593
说明：: MOSFET N/P-Ch MOSFET 12V 40/70mohms@4.5V

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SIA511DJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIA511DJ-GE3
典型关闭延迟时间：15 ns, 20 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：10 ns, 12 ns
功率耗散：6.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：13 S, 9 S
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC-70-6 Dual
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：40 mOhms, 70 mOhms
漏极连续电流：4.5 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：12 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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