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中文参数如下:
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:29 毫欧 @ 5A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):12V, 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.5A, 1.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 8V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :500pF @ 6V
功率 - 最大:6.5W, 5W
安装类型:表面贴装
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