SIA906EDJ-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SC-70-6 双
数量:
 89031  
说明:
 MOSFET 20V 4.5A 7.8W 46mohm @ 4.5V
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SIA906EDJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 双图片

SIA906EDJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SIA906EDJ-GE3
典型关闭延迟时间:18 ns, 15 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:12 ns
功率耗散:1.9 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:12 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SC-70-6 Dual
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):46 mOhms
漏极连续电流:4.5 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIA906EDJ-T1-GE3的详细信息,包括SIA906EDJ-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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