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中文参数如下:
零件号别名:SIA912DJ-GE3
典型关闭延迟时间:35 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:15 ns
功率耗散:1.9 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :13 S
下降时间:15 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SC-70-6 Dual
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):40 mOhms
漏极连续电流:4.5 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:12 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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