SIA912DJ-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SC-70-6 双
数量:
 1746  
说明:
 MOSFET 12V 4.5A 6.5W 40mohm @ 4.5V
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SIA912DJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 双图片

SIA912DJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SIA912DJ-GE3
典型关闭延迟时间:35 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:15 ns
功率耗散:1.9 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :13 S
下降时间:15 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SC-70-6 Dual
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):40 mOhms
漏极连续电流:4.5 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:12 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIA912DJ-T1-GE3的详细信息,包括SIA912DJ-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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