SIA533EDJ-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SC-70-6 双
数量:
 1611  
说明:
 MOSFET 12V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET
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SIA533EDJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SIA533EDJ-GE3
功率耗散:7.8 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:10 nC, 13 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :11 S, 21 S
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SC-70-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.028 Ohms, 0.048 Ohms
漏极连续电流:+/- 4.5 A, - 3.7 A
汲极/源极击穿电压:+/- 12 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

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