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中文参数如下:
FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:225 毫欧 @ 1.6A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V, 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.5A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:2.2nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :-
功率 - 最大:5W, 7.8W
安装类型:表面贴装
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