SIA517DJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6 双
数量：: 6000
说明：: MOSFET 12V 4.5A 6.5W 29/61mohm @ 4.5V

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SIA517DJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIA517DJ-GE3
典型关闭延迟时间：22 ns at N Channel, 30 ns at P Channel
工厂包装数量：3000
上升时间：10 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
功率耗散：6.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC-70-6 Dual
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：29 mOhms, 61 mOhms
漏极连续电流：4.5 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：12 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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