SIA513DJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6 双
数量：: 1620
说明：: MOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 60/110mohms@4.5V

一、本商品被浏览0次.

SIA513DJ-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SIA513DJ-GE3
典型关闭延迟时间：20 ns, 15 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：40 ns, 45 ns
功率耗散：6.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：8 S, 3.5 S
下降时间：30 ns, 10 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC-70-6 Dual
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：60 mOhms, 110 mOhms
漏极连续电流：4.5 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA513DJ-T1-GE3的详细信息，包括SIA513DJ-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：