SI5511DC-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 1206-8 ChipFET?
数量：: 6012
说明：: MOSFET 30V 4.0/3.7A

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SI5511DC-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5511DC-E3
典型关闭延迟时间：48 ns, 33 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：45 ns, 78 ns
功率耗散：2.1 W, 1.3 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：28 ns, 65 ns
包装形式：Reel
封装形式：1206-8 ChipFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：55 mOhms, 150 mOhms
漏极连续电流：4 A, 2.3 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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