SI5513DC-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 1206-8 ChipFET?
数量：: 4986
说明：: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8

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SI5513DC-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：75 毫欧 @ 3.1A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.1A, 2.1A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：6nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：1.1W
安装类型：表面贴装

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