SI5515DC-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 1206-8 ChipFET?
数量：: 5022
说明：: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8

一、本商品被浏览0次.

SI5515DC-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：40 毫欧 @ 4.4A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.4A, 3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：7.5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：1.1W
安装类型：表面贴装

以上是SI5515DC-T1-GE3的详细信息，包括SI5515DC-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：