SI5515CDC-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 1206-8 ChipFET?
数量：: 6048
说明：: MOSFET 20V 4A / 4A N & P-CH MOSFET

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SI5515CDC-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5515CDC-GE3
功率耗散：3.1 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：7.5 nC, 7 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：9.5 S, 22.4 S
包装形式：Reel
封装形式：1206-8 ChipFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：36 mOhms, 100 mOhms
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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