SI5513DC-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 1206-8 ChipFET?
数量：: 5211
说明：: MOSFET 20V 4.2/2.9A

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SI5513DC-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5513DC-E3
典型关闭延迟时间：19 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：3000
上升时间：35 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：35 ns
包装形式：Reel
封装形式：1206-8 ChipFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：75 mOhms, 155 mOhms
漏极连续电流：4.2 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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