SI5513CDC-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 1206-8 ChipFET?
数量：: 4959
说明：: MOSFET 20V 4.0/3.7A 3.1W 55/150mohm @ 4.5V

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SI5513CDC-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5513CDC-E3
典型关闭延迟时间：14 ns, 16 ns at N Channel, 15 ns, 18 ns at P Channel
工厂包装数量：3000
上升时间：10 ns, 9 ns at N Channel, 12 ns, 40 ns at P Channel
功率耗散：3.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns, 9 ns at N Channel, 12 ns, 40 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：1206-8 ChipFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：55 mOhms, 150 mOhms
漏极连续电流：4 A, 2.4 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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