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SI4559EY-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOIC-8 Narrow
数量：
 4410  
说明：
 MOSFET 60V 4.5/3.1A 2.4W 55/120mohm @ 10V
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SI4559EY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4559EY-GE3
工厂包装数量：2500
功率耗散：2.4 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：55 mOhms, 120 mOhms
漏极连续电流：4.5 A, 3.1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4559EY-T1-GE3的详细信息，包括SI4559EY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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