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SI4564DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 2601
说明：: MOSFET 40V 10A/9.2A N&P-CH MOSFET

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SI4564DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4564DY-GE3
功率耗散：3.1 W, 3.2 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：20.5 nC, 41.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：25 S, 27 S
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0145 Ohms, 0.0175 Ohms
漏极连续电流：10 A, - 9.2 A
汲极/源极击穿电压：+/- 40 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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