SI4599DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 2637
说明：: MOSFET 40/40V 5.3/11.8A 3.0/3.1W

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中文参数如下：

零件号别名：SI4599DY-GE3
典型关闭延迟时间：16 ns, 30 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：17 ns, 33 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns, 13 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0355 Ohms, 0.045 Ohms
漏极连续电流：5.6 A, - 4.7 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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