SI4561DY-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 8-SOIC
数量:
 4050  
说明:
 MOSFET N/P-Ch MOSFET 40V 35/35mohm @ 10V
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SI4561DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI4561DY-GE3
典型关闭延迟时间:16 ns, 36 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:17 ns, 79 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:10 ns, 14 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):355 mOhms, 350 mOhms
漏极连续电流:5.6 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4561DY-T1-GE3的详细信息,包括SI4561DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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