SI4562DY-T1

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOIC-8 Narrow
数量:
 3924  
说明:
 MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

SI4562DY-T1 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:90 ns, 95 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:40 ns, 32 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:40 ns, 45 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):25 mOhms, 33 mOhms
漏极连续电流:7.1 A, 6.2 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

以上是SI4562DY-T1的详细信息,包括SI4562DY-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC