SI4562DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 7317
说明：: MOSFET 20V 7.1/6.2A 2.0W 25/33mohm @ 4.5V

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中文参数如下：

零件号别名：SI4562DY-GE3
典型关闭延迟时间：90 ns, 95 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：40 ns, 32 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：40 ns, 45 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：25 mOhms, 33 mOhms
漏极连续电流：7.1 A, 6.2 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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