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SI4563DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 7335
说明：: MOSFET 40V 8.0A 3.25W 16/25mohm @ 10V

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SI4563DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4563DY-GE3
典型关闭延迟时间：56 ns at N Channel, 62 ns at N Channel, 75 ns at P Channel, 80 ns at P Channel
工厂包装数量：2500
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：16 mOhms, 25 mOhms
漏极连续电流：8 A, 6.6 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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