PTFA181001HLV1R250

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-37248-2
数量:
 2853  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC
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PTFA181001HLV1R250-PG-37248-2图片

PTFA181001HLV1R250 PDF参数资料

中文参数如下:

功率耗散:407 W
安装风格:SMD/SMT
包装形式:Reel
封装形式:PG-37248-2
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:750 mA
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:100 W
增益:16.5 dB
频率:1.8 GHz to 1.88 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

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