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MRF5812LF

厂家：: Advanced Semiconductor, Inc.
封装：: SOIC-8
数量：: 6274
说明：: 射频双极小信号晶体管 RF Transistor

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MRF5812LF PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Tray
封装形式：SOIC-8
最大工作温度：+ 200 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：50
功率耗散：1.25 W
集电极连续电流：200 mA
发射极 - 基极电压 VEBO：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：15 V
最大工作频率：1 GHz
晶体管极性：NPN
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.

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