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中文参数如下:
晶体管极性:NPN
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 200 C
包装形式:Tray
封装形式:Case244-04
功率耗散:5 W
集电极连续电流:200 mA
发射极 - 基极电压 VEBO:2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:17 V
最大工作频率:500 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:50
RoHS:是
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.
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