中文参数如下:
晶体管极性:NPN
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
增益带宽产品fT:1.3 GHz
包装形式:Tray
封装形式:SO-8
功率耗散:1 W
集电极连续电流:400 mA
发射极 - 基极电压 VEBO:3.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
直流集电极/Base Gain hfe Min:25
配置:Single
RoHS:是
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.
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