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MRF581A

厂家：
  Advanced Semiconductor, Inc.
封装：
 微型-X 陶瓷 84C
数量：
 216  
说明：
 射频双极小信号晶体管 RF Transistor
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MRF581A-微型-X 陶瓷 84C图片

MRF581A PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Tray
封装形式：Macro-X
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：90
功率耗散：1.25 W
集电极连续电流：200 mA
发射极 - 基极电压 VEBO：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：15 V
最大工作频率：1 GHz
晶体管极性：NPN
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.

以上是MRF581A的详细信息，包括MRF581A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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