点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 65 C
包装形式:Tray
封装形式:TO-92
最大工作温度:+ 200 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:50
功率耗散:2.5 W
集电极连续电流:200 mA
发射极 - 基极电压 VEBO:2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:17 V
最大工作频率:500 MHz
晶体管极性:NPN
RoHS:是
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.
以上是MRF586的详细信息,包括MRF586厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!