BSB008NE2LXXT

厂家：: Infineon Technologies
封装：: MG-WDSON-2
数量：: 549
说明：: MOSFET OptiMOS Power MOSFET

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中文参数如下：

零件号别名：BSB008NE2LX BSB008NE2LXXUMA1
典型关闭延迟时间：75 ns
上升时间：47.2 ns
功率耗散：89 W
最小工作温度：- 40 C
栅极电荷 Qg：240 nC
下降时间：32.4 ns
包装形式：Reel
封装形式：MG-WDSON-2
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：800 mOhms
漏极连续电流：180 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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