BSB018NE2LX G

厂家：: Infineon Technologies
封装：
数量：: 3474
说明：: MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH

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BSB018NE2LX G PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BSB018NE2LXGXT
典型关闭延迟时间：42 ns
工厂包装数量：1000
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 40 C
包装形式：Reel
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0018 Ohms at 10 V
漏极连续电流：32 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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