BSB028N06NN3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 MG-WDSON-2
数量:
 7211  
说明:
 MOSFET N-Channel 60V MOSFET
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中文参数如下:

零件号别名:BSB028N06NN3GXT BSB028N06NN3GXUMA1 SP000605956
典型关闭延迟时间:38 ns
上升时间:9 ns
功率耗散:78 W
最小工作温度:- 40 C
栅极电荷 Qg:108 nC
下降时间:6 ns
包装形式:Reel
封装形式:MG-WDSON-2
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):2.8 mOhms
漏极连续电流:90 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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