BSB019N03LX G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 3-WDSON
数量：: 5436
说明：: MOSFET OptiMOS 2 N-CH 30V 174A 1.9mOhm

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BSB019N03LX G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSB019N03LXGXT
典型关闭延迟时间：42 ns
上升时间：7.8 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 40 C
下降时间：6.4 ns
包装形式：Reel
封装形式：WDSON
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0019 Ohms
漏极连续电流：31 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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