BSB017N03LX3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: MG-WDSON-2，CanPAK M?
数量：: 5427
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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中文参数如下：

零件号别名：BSB017N03LX3GXT BSB017N03LX3GXUMA1 SP000604468
典型关闭延迟时间：35 ns
工厂包装数量：5000
上升时间：6.4 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 40 C
栅极电荷 Qg：77 nC
下降时间：6 ns
包装形式：Reel
封装形式：MG-WDSON-2
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0017 Ohms
漏极连续电流：32 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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