BSB012N03LX3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: MG-WDSON-2，CanPAK M?
数量：: 5400
说明：: MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH

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中文参数如下：

零件号别名：BSB012N03LX3GXT BSB012N03LX3GXUMA1 SP000597846
典型关闭延迟时间：47 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：8.6 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 40 C
下降时间：8.4 ns
包装形式：Reel
封装形式：WDSON
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0012 Ohms
漏极连续电流：39 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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