BSB014N04LX3G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: CanPAK
数量：: 3465
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

一、本商品被浏览0次.

BSB014N04LX3G PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BSB014N04LX3GXT
典型关闭延迟时间：60 ns
上升时间：8.4 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 40 C
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：CanPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0014 Ohms
漏极连续电流：36 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSB014N04LX3G的详细信息，包括BSB014N04LX3G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：